莱尔德：如何在大电流应用中大幅改进杂讯抑制?

如今的电子和电气设备具备更多功能，并且大多数是在更高的开关频率（KHz到MHz）下运行。这就对功率消耗和功率转换有更高的要求。新的设计趋势还包括采用下一代半导体应用(SiC、GaN)，因此设计必须更加紧凑，布局必须适应较高密度的组件。这些因素使得电磁干扰(EMI)和操作温度成为更大的挑战。将适当的共模扼流圈集成到系统设计中已被证实是一种具有成本效益的解决方案，并有助生产的设备遵守法规。我们预计大电流、宽带共模扼流圈的使用量将稳步增加。

全球行业领导者莱尔德斯特华解决了在宽带频率上广泛面对电磁干扰的痛点。CM系列共模扼流圈是高功率密度设计的理想选择，因其可传输更大的电流而又保持温度在尽可能低的水平，也可抑制更宽频带上的杂讯。还有什么其他优点？CM系列共模扼流圈更加小巧、结构更紧凑和轻量。

CM系列大电流共模扼流圈产品规格：

• 采用镍锌铁氧体材料制成，在10MHz 到2GHz的广泛频率范围内阻抗效果优异。CM系列是解决辐射杂讯问题的理想解决方案。

• 也可按需提供锰锌铁氧体款解决KHz到MHz范围噪音的低频率应用，即传导性杂讯的难题。

• 支持10安培到90安培以上的应用电流。

• 低直流电阻(DCR)。

• 高表面电阻率 >5G 欧姆（仅适用于镍锌款）。

• 结构坚固，可靠性高。可根据要求提供定制设计。

• 可根据要求提供符合AECQ200标准的汽车应用级产品。

• 支持SMT或THT。

• 小脚距，结构紧凑。

• 额定电流下温度上升 <40°C。

• 符合RoHS、HF和Reach标准。